IBM日前宣布，该公司已经研发了一种可以将芯片中标准晶体管的性能提高三倍的技术，这一方法与传统的CMOS技术相兼容，为实现芯片性能和电子系统性能的进一步提高迈出了重要一步。
这一技术主要是在晶体管的关键部位增加一层锗，而那里正是电流通过的“通道”。在集成电路的关键部位引入锗等新材料为提高芯片性能提供了新的方法，这在需要将芯片越做越小的今天显得尤为重要。IBM相信，这种新技术可以进一步提高采用32纳米及更小电路的芯片的性能。IBM计划在即将于美国圣弗朗西斯科举行的国际电子设备大会(IEDM)上公布有关这一技术的详细情况。
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